實盤：5G芯片關鍵材料獲突破 天富能源漲停
周五早盤，天富能源一字漲停，天通股份大漲。
從西安電子科技大學蕪湖研究院獲悉，作為蕪湖大院大所合作的重點項目，國產化5G通信芯片用最新一代碳化硅襯底氮化鎵材料試制成功，打破國外壟斷。這標志著今后國內各大芯片企業(yè)生產5G通信芯片，有望用上國產材料。
我國及全球5G網絡正在大規(guī)模建設中。大數據傳輸、云計算、AI技術、物聯網，包括下一步的能源傳輸，對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求，大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。碳化硅是制造高溫、高頻、大功率半導體器件的理想襯底材料，也是發(fā)展第三代半導體產業(yè)的關鍵基礎材料。它的禁帶寬度是目前主流的硅的3倍，導熱性能更是比藍寶石高10倍以上。在大功率工作狀態(tài)下，碳化硅在降低自身功耗的同時，更可提高系統其他部件的功效，節(jié)能可高達90%。業(yè)內甚至俗稱“得碳化硅者得天下”。
（文章來源：中國金融信息網）